Số sản phẩm của nhà sản xuất:
TSM110NB04LCR RLG
Product Overview
Nhà sản xuất:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Số hiệu phần:
TSM110NB04LCR RLG-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Mô tả chi tiết:
N-Channel 40 V 12A (Ta), 54A (Tc) 3.1W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5.2x5.75)
Hàng tồn kho:
26380 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12898227
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
TSM110NB04LCR RLG Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Taiwan Semiconductor
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
40 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
12A (Ta), 54A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
11mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1269 pF @ 20 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
3.1W (Ta), 68W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-PDFN (5.2x5.75)
Gói / Trường hợp
8-PowerLDFN
Số sản phẩm cơ sở
TSM110
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
-2068-TSM110NB04LCRRLGCT
TSM110NB04LCRRLGDKR
-2068-TSM110NB04LCRRLGTR
TSM110NB04LCRRLGCT
-2068-TSM110NB04LCRRLGTR-DG
-2068-TSM110NB04LCRRLGDKR
TSM110NB04LCRRLGTR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
TSM4N90CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 900V 4A TO220
TSM038N03PQ33 RGG
MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN
TSM3N80CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220
